POWER FAE第一阶段 · 电源基础
Foundation · 第1至4周

从电路基础到同步Buck设计

先建立能够支撑选型、计算和Debug的知识骨架。目标不是背术语,而是能从波形、公式和Datasheet解释电源为什么这样工作。

周期:4周投入:每周10~12小时阶段产出:计算书 + 参数卡 + 保护与热设计
Stage goals

完成后应具备的能力

每一项都要通过计算、图示或口头讲解进行验证。

1

看懂基本电路

能分析直流工作点、RC/RL暂态、分压采样和一阶滤波。

2

读懂MOSFET Datasheet

能解释额定值、RDS(on)、Qg、SOA与热参数之间的关系。

3

完成Buck手算

能从输入输出规格计算占空比、电感、电流应力和电容纹波。

4

建立保护与热意识

能说明UVLO、软启动、过流、过温以及降额设计的作用。

本阶段进度
0 / 4 周完成
Weekly plan

第1~4周详细任务

建议按“学习—计算—实验—表达—归档”的顺序完成。

W1

电路基础与动态过程

2026/8/24—8/30 · 建立分析语言

核心知识

  • KCL、KVL、戴维南等效和叠加定理。
  • 电阻、电容、电感的伏安关系与储能特性。
  • RC/RL一阶暂态、时间常数和稳态边界。
  • 二极管、运放、分压采样与RC滤波。

动手任务

  1. 完成10道节点、电感和RC暂态计算题。
  2. 为12V输入设计一个3.3V量程的分压采样。
  3. 用仿真比较不同RC参数对阶跃信号的影响。
  4. 画出电容充电和电感电流建立过程。

验收问题

  • 为什么电容电压不能突变?
  • 为什么电感电流不能突变?
  • 采样电阻过大或过小分别有什么代价?
  • 如何根据目标截止频率选择RC?

常见误区

  • 只会套公式,不能先标电流方向和参考极性。
  • 混淆稳态、初始状态与开关瞬间。
  • 忽略后级输入阻抗对分压器的加载。
τRC = R × C  τRL = L / R  fc = 1 / (2πRC)
本周产出:10道计算题、1张基础知识图谱、1份分压采样与滤波设计记录。
W2

功率MOSFET与损耗

2026/8/31—9/6 · 从参数表走向器件选择

核心知识

  • VDS、VGS、ID、RDS(on)、Qg、Ciss、Coss和Crss。
  • Miller平台、栅极驱动电流和开关速度。
  • 导通损耗、开关损耗、体二极管和反向恢复。
  • SOA、雪崩能力、热阻、结温与降额。

Datasheet任务

  1. 选取两款40V MOSFET,摘录10个关键参数。
  2. 比较不同VGS和温度下的RDS(on)。
  3. 确认参数是典型值还是最大值。
  4. 说明封装和PCB散热条件如何影响额定电流。

计算与验证

  • 以5A RMS电流估算导通损耗。
  • 根据Qg和目标开关时间估算驱动峰值电流。
  • 在100kHz、500kHz下比较开关损耗。
  • 由总损耗和热阻估算结温。

选型表达

  • 不以“额定电流最大”作为唯一理由。
  • 说明耐压裕量、损耗、驱动难度、热和成本取舍。
  • 能回答“低RDS(on)是否一定更好”。
Pcond ≈ Irms² × RDS(on)  Psw ≈ 0.5 × VDS × ID × (tr + tf) × fsw
本周产出:MOSFET参数卡、两器件对比表、损耗与结温估算表。
W3

Buck基本拓扑与器件应力

2026/9/7—9/13 · 完成9~16V转5V/2A手算

工作原理

  • 高边开通与关断两个状态的电流路径。
  • 伏秒平衡、电荷平衡和理想占空比。
  • CCM、DCM边界及轻载工作差异。
  • 同步整流与二极管续流的效率差异。

设计任务

  1. 规格:9~16V输入、5V/2A、500kHz。
  2. 按20%~40%满载电流选择纹波目标。
  3. 计算最小电感和峰值/谷值电流。
  4. 估算输入、输出电容RMS与纹波要求。

波形验收

  • 画出SW节点、电感电流与输出纹波。
  • 解释输入电压升高时占空比和纹波的变化。
  • 找出MOSFET、电感和电容的最坏工况。

器件初选

  • 电感同时检查饱和电流、温升电流和DCR。
  • 电容同时检查容量、ESR、纹波电流和偏压降容。
  • MOSFET耐压预留瞬态和振铃裕量。
D ≈ Vout / Vin  ΔIL = (Vin - Vout) × D / (L × fsw)
本周产出:完整Buck手算过程、关键波形图、器件应力表和初选清单。
W4

反馈、保护、环路与热

2026/9/14—9/20 · 建立边界和失效意识

功能模块

  • 反馈分压、误差放大器和环路稳定的基本概念。
  • 软启动、UVLO、过流、短路和过温保护。
  • PFM、跳脉冲和强制PWM的轻载差异。

热设计

  • 识别芯片、MOSFET、电感和采样电阻的损耗。
  • 理解θJA、θJC、铜皮和过孔对温升的影响。
  • 在最高环境温度下进行结温预算并保留裕量。

保护设计任务

  1. 给出启动、欠压、过流和过温状态图。
  2. 列出每项保护的触发条件、动作与恢复方式。
  3. 说明打嗝、锁存和自动重启的适用场景。

阶段复盘

  • 能否独立找到Datasheet中的限制条件?
  • 理论与测量不一致时是否愿意追根因?
  • 能否在5分钟内讲清Buck能量流动?
Tj ≈ Ta + Ploss × θJA  Vout = Vref × (1 + Rtop / Rbottom)
本周产出:保护框图、反馈计算、热预算表和第一阶段复盘报告。
Acceptance

第一阶段验收门槛

四项全部通过,再进入工具与测试阶段。